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產品中心

碳化硅研磨桶

    反應燒結碳化硅產品主要技術參數

    Technical parameters of Reaction-Bonded SiC Products

     



    項目
    (item)

    單位
    (unit)

    指標
    (Date)

    使用溫度
    applicationtemperature

    1380

    密度
    density

    G/cm3

    ≥3.02

    氣孔率
    open porosity

    %

    0.1

    抗彎強度
    (bending strength)

    Mpa

    250(20℃)

    Mpa

    280(1200℃)

    彈性模量
    modul us of elasticity

    Gpa

    33020

    Gpa

    3001200

    導熱系數
    Thermal Conductivity

    W/(M.K)

    451200

    熱膨脹系數 
    (coefficient ofthermal expansion)

    K-1×10-6

    4.5

    莫氏硬度
    rigidity

     

    9

    耐酸堿性
    acid&alkali resistance

     






    無壓燒結碳化硅陶瓷技術參數

    Technical parameters of pressure-free sintered silicon carbide ceramics

    項目
    (item)

    單位
    (unit)

    SSIC

    使用溫度
    applicationtemperature

    1600

    硬度Hv
    (Hardness Hv1)

    HRA

    ≥92

    抗壓強度
    (compressive strength)

    MPa

    ≥2600

    抗彎強度
    (bending strength)

    MPa

    ≥400

    碳化硅量
    (Sic Content)

    %

    ≥99

    彈性模量
    (modulus of elasticity)

    MPa

    410

    導熱系數
    Thermal Conductivity

    W/(M.K)

    100-120

    熱膨脹系數 
    (coefficient ofthermal expansion)

    i/℃

    4.0

    氣孔率
    (open porosity)

    %

    <0.1

    泊松比
    (Posissons Ration)

     

    0.16





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