反應燒結碳化硅產品主要技術參數
Technical parameters of Reaction-Bonded SiC Products
項目 |
單位 |
指標 |
使用溫度 |
℃ |
1380 |
密度 |
G/cm3 |
≥3.02 |
氣孔率 |
% |
≤0.1 |
抗彎強度 |
Mpa |
250(20℃) |
Mpa |
280(1200℃) |
|
彈性模量 |
Gpa |
330(20℃) |
Gpa |
300(1200℃) |
|
導熱系數 |
W/(M.K) |
45(1200℃) |
熱膨脹系數 |
K-1×10-6 |
4.5 |
莫氏硬度 |
|
9 |
耐酸堿性 |
|
優 |
無壓燒結碳化硅陶瓷技術參數
Technical parameters of pressure-free sintered silicon carbide ceramics
項目 |
單位 |
SSIC |
使用溫度 |
℃ |
1600 |
硬度Hv |
HRA |
≥92 |
抗壓強度 |
MPa |
≥2600 |
抗彎強度 |
MPa |
≥400 |
碳化硅量 |
% |
≥99 |
彈性模量 |
MPa |
410 |
導熱系數 |
W/(M.K) |
100-120 |
熱膨脹系數 |
i/℃ |
4.0 |
氣孔率 |
% |
<0.1 |
泊松比 |
|
0.16 |